庫號：D237504  

產(chǎn)品簡介
1、儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數(shù)載流子壽命測定高頻光電導(dǎo)衰減法；
2、測試硅單晶電阻率范圍：ρ﹥2Ω·㎝，測電子級參雜硅單晶片（厚度小于1mm）電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω.cm（表面可能需拋光處理）；
3、可測材料：硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、硅塊、硅片等；
4、可測單晶少子壽命τ范圍：5μs~10000μs；
5、紅外光源配置：波長1.06～1.09μm，紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深度大于500μm。光脈沖關(guān)斷時間＜0.2-1μｓ脈沖電流：～20A ；
6、高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ；
7、前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ；
8、高頻電極采用銦與樣品接觸，銦可以減小半導(dǎo)體材料與金屬電極間的接觸電阻的良材料而且有良好的抗腐蝕性能；
9、儀器測量重復(fù)：﹤±25%；
10、顯示方式：本儀器配置數(shù)字存儲示波器，模擬帶寬50MHz，大實時采樣率1GSa/S，垂直靈敏度2mv-5v/div，掃描范圍：2.5ns—50s/div；
11、儀器消耗功率：﹤50W；
12、儀器工作條件：溫度：10-35℃，濕度﹤65% 使用電源：AC 220V，50HZ（穩(wěn)壓電源）；
13、可測單晶尺寸： 斷面豎測：直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm 縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-800mm。

產(chǎn)品簡介
1、儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數(shù)載流子壽命測定高頻光電導(dǎo)衰減法；
2、測試硅單晶電阻率范圍：ρ﹥2Ω·㎝，測電子級參雜硅單晶片（厚度小于1mm）電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω.cm（表面可能需拋光處理）；
3、可測材料：硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、硅塊、硅片等；
4、可測單晶少子壽命τ范圍：5μs~10000μs；
5、紅外光源配置：波長1.06～1.09μm，紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深度大于500μm。光脈沖關(guān)斷時間＜0.2-1μｓ脈沖電流：～20A ；
6、高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ；
7、前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ；
8、高頻電極采用銦與樣品接觸，銦可以減小半導(dǎo)體材料與金屬電極間的接觸電阻的良材料而且有良好的抗腐蝕性能；
9、儀器測量重復(fù)：﹤±25%；
10、顯示方式：本儀器配置數(shù)字存儲示波器，模擬帶寬50MHz，大實時采樣率1GSa/S，垂直靈敏度2mv-5v/div，掃描范圍：2.5ns—50s/div；
11、儀器消耗功率：﹤50W；
12、儀器工作條件：溫度：10-35℃，濕度﹤65% 使用電源：AC 220V，50HZ（穩(wěn)壓電源）；
13、可測單晶尺寸： 斷面豎測：直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm 縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-800mm。